f 𝕏 W
الطباعة الضوئية المتقدمة.. لماذا يصعب على الصين كسر الاحتكار؟

الجزيرة

تكنولوجيا منذ 5 سا 0 2 د قراءة
زيارة المصدر ←

الطباعة الضوئية المتقدمة.. لماذا يصعب على الصين كسر الاحتكار؟

بدأت الصين تخطو أولى خطواتها في تطوير آلات الطباعة الضوئية المتقدمة، فهل تنجح في كسر الاحتكار الذي تفرضه شركة "إيه إس إم إل" على هذه التقنية؟

ملخص ذكي بالذكاء الاصطناعي
مُلخَّص تلقائياً من الخبر الأصلي
تواجه صناعة الرقاقات العالمية نقطة اختناق تقنية تتمثل في صعوبة تصنيع آلات الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية القصوى (EUV)، وهي تقنية تحتكرها الشركة الهولندية ASML. تلعب هذه الآلات دوراً حاسماً في إنتاج أحدث أجيال الرقاقات عبر طباعة مليارات الترانزستورات بدقة متناهية على رقاقات السيليكون. تعتمد هذه التقنية على الضوء لنقل الأنماط الإلكترونية دون تلامس مادي، مما يمنع التلوث ويسمح بإنتاج رقاقات معقدة.
أبرز النقاط

في الوقت الحالي، تقف صناعة الرقاقات أمام إحدى أهم نقاط الاختناق التقنية، وهي تصنيع آلة "الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية القصوى" (EUV) المستخدمة تجاريا على نطاق واسع والتي تحتكر الشركة الهولندية "إيه إس إم إل" (ASML) صناعتها.

وتؤدي هذه المنظومة الصناعية الضخمة، التي تجمع الليزر والبصريات والفيزياء والبرمجيات والتحكم الميكانيكي الدقيق، دورا أساسيا في إنتاج أحدث أجيال الرقاقات من خلال طباعة الترانزستورات على الرقاقات بدقة تسمح بوضع المليارات منها على رقاقة سيليكون لا يتجاوز قطرها 30 سنتيمترا.

اعتمدت صناعة أشباه الموصلات على تقنية "الطباعة الحجرية" (Lithography) من أجل نقل أنماط الدوائر الإلكترونية من القناع إلى المادة الحساسة للضوء التي تغطي رقاقة السيليكون باستخدام الضوء.

وفي خمسينيات القرن العشرين، حاول المصنعون الأوائل للرقاقات رسم أنماط الدوائر الإلكترونية يدويا، لكن أي تلامس مادي مع الرقاقة السيليكونية كان يؤدي إلى خدشها أو تلويثها أو تشويه النمط المرسوم عليها، فيما ساعد الضوء في طباعة أنماط متطابقة دون الحاجة إلى أي تلامس مادي مع الرقاقة.

وفي عملية "الطباعة الحجرية"، يسلط الضوء عبر نمط دقيق على الرقاقة الرقيقة من مادة السيليكون المطلية بمادة كيميائية حساسة للضوء، حيث تتفاعل تلك المادة عند تعرضها للضوء، مما يؤدي إلى تليين المناطق المعرضة للضوء.

وتُزال تلك المناطق اللينة كاشفة عن طبقة السيليكون الموجودة تحتها، مع نقل الرقاقة إلى جهاز لحفر النمط المطلوب في السيليكون المكشوف وملء الفراغات المحفورة بمعادن من أجل ربط الترانزستور بمصدر الطاقة، مع جمع هذه الطبقات المحفورة معا لتشكل شبكة معقدة من الترانزستورات.

المقال الكامل متوفر على موقع المصدر
اقرأ الخبر كاملاً من الجزيرة
←

شارك هذه المقالة

التعليقات (0)